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工藝過程裝備

大型電子束箱式真空鍍膜設備
以您的鍍膜工藝出發,理論計算和設計經驗結合,合理的配置,合理的布局,超高的性價比。全自動一鍵式操作。既能滿足科研院所多品種、小批量產品研制的需求,又能適用于規模化生產。全無油真空系統。
◆ 適用行業:天文觀測、SiC改性及傳統光學鍍膜、紅外器件鍍膜等
◆ 適用膜料金屬類:金、銀、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金
◆ 介質類:二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鉿、二 氧化鋯、氟化鎂、氟化釔、硫化鋅、硒化鋅、H4、SV-7、SV-20等
◆ 晶體類:鍺、硅等膜層厚度       ◆ 金屬類:5nm-40mm
◆ 介質類:5nm-30mm              ◆  晶體類:10nm-30mm
◆ 基底(襯底)尺寸: φ1.5mm-φ2400mm

性能指標

主要技術指標:

◆ 內腔直徑(mm):2800、3000、3600等;

◆ 使用整體平面工件盤時:工件直徑不超過φ2400mm,邊緣厚度不超過400mm,工件及夾具總重量不超過10噸,工件轉速3-10rpm/min;

◆ 使用三行星平面工件盤時:工件直徑不超過φ1100mm,邊緣厚度不超過250mm,工件及夾具總重量不超過1噸,工件轉速3-30rpm/min;

◆ 極限真空:≤8×10-5 Pa(24 小時內);

◆ 常溫狀態下,真空室排氣由大氣至壓強2×10-3Pa,排氣時間≤25min;

◆ 250℃烘烤狀態下,真空室排氣由大氣至壓強2×10-3Pa,排氣時間≤45min;

◆ 下烘烤,最高溫度300℃,控溫精度≤±1℃;

◆ 烘烤至200℃時,溫度不均勻性≤±5℃(徑向5點測試)

◆ 漏氣率:≤1.0×10-4Pa?m3/s;

◆ 膜厚片內均勻性:≤±2%(電子束蒸發源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜,延半徑方向均分十點測試);

◆ 膜厚片間均勻性: ≤±2%(批次內5片,每片取平均值)

◆ 膜厚批間重復性:≤±2% (連續3批,每批次取平均值) ;


控制程序:

◆ 19U標準機柜,專用控制臺操作;

基于微軟WPF開發的全自動一鍵式操作程序,保證鍍膜重復性;

◆ 采用excel文件編輯工藝參數,軟件直接調用運行即可完成整個鍍膜工藝流程,無需額外操作;

◆ 軟件自動生成詳細的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄;

◆ 記錄文件可回溯,歷史數據曲線可查看,時間期限為1年內;

◆ 可將TFC和Macload軟件設計參與導入到工藝流程內;

◆ 膜層狀態界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息;

◆ 關鍵部件根據實際使用情況,有維護時間顯示,即節約成本,又便于維護;

◆ 完備的互鎖功能,防止誤操作;

◆ 程序設有三級權限,便于管理及維護。

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